850 nm氧化限制型VCSEL研究

岳爱文; 王任凡; 沈坤; 石兢

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通过对850 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850 nm氧化限制型VCSEL.激光器12 μm和16 μm氧化孔径25 ℃的阈值电流分别为1.2 mA和1.8 mA,斜效率为0.58 mW/mA,微分串联电阻为35 Ω和25 Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25 Gbit/s数据通信.

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来源
《光通信研究》 |2004年第2期|36-3858|共4页
作者
岳爱文; 王任凡; 沈坤; 石兢;
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作者单位

武汉电信器件公司,湖北,武汉,430074;

武汉大学,物理系,湖北,武汉,430072;

武汉电信器件公司,湖北,武汉,430074;

武汉电信器件公司,湖北,武汉,430074;

武汉大学,物理系,湖北,武汉,430072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器设计;
关键词
垂直腔面发射激光器; 砷化镓; 分布布拉格反射器;

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