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基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于柔性器件领域,为设计并制备一种基于a‑IGZO薄膜的高介电常数栅介质层的底栅结构晶体管,采用磁控溅射的低温工艺,在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管,丰富晶体管作为电路元器件的用处,使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此,本发明采取的技术方案是,基于非晶铟镓锌薄膜的柔性薄膜晶体管及其制造方法,PET衬底上自下而上依次为ITO底栅、二氧化铪HfO

著录项

  • 公开/公告号CN109801975A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-05-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201910034420.4

  • 发明设计人 秦国轩;裴智慧;

    申请日2019-01-15

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人刘国威

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2024-02-19 10:06:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/786 申请日:20190115

    实质审查的生效

  • 2019-05-24

    公开

    公开

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