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一种氧化硅-硅界面态密度和俘获界面的测试方法

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本发明公开了一种氧化硅‑硅界面态密度和俘获界面的测试方法，包括以下步骤：(1)在硅片表面单面生长氧化硅薄膜，然后在氧化硅薄膜表面生长金属薄膜，最后在硅片另一表面刮擦InGa溶液，进而制得适用于电学测试的MIS结构器件；(2)在不同测试温度T下进行电容瞬态测试，获得电容在载流子发射过程中的变化，经过转化变为电荷密度为N

著录项

公开/公告号CN109116209A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-01

原文格式PDF
申请/专利权人浙江大学;
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申请/专利号CN201810857480.1
发明设计人余学功;秦亚洲;胡泽晨;董鹏;崔灿;杨德仁;
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申请日2018-07-31
分类号
代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司;
代理人胡红娟
地址 310013 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2024-02-19 06:52:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-03-12

发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):G01R31/26 申请公布日:20190101 申请日:20180731

发明专利申请公布后的撤回
2019-01-25

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20180731

实质审查的生效
2019-01-01

公开

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