化学清洗对硅-二氧化硅界面的影响

摘要

介绍了不同化学清洗方法对硅－二氧化硅界的影响。实验表明，采用ＮＨ４ＯＨ清洗后能明显降低硅－二氧化硅界的表面的电荷。文中还对如何设计Ｃ－Ｖ测试结构中的问题进行讨论。