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机译:毫秒激光退火形成的锗的超浅砷结。
机译:毫秒激光退火形成的锗的超浅砷结。
机译:硅锗超浅结的脉冲激光退火
机译:PH_3等离子体掺杂和准分子激光退火形成的亚15 nm n〜+ / p锗浅结
机译:分子注入和毫秒激光尖峰退火形成超浅结的新方法
机译:锗硅化物通过选择性沉积原位掺杂的硅锗合金与纳米级CMOS集成电路的超浅p(+)n结接触。
机译:超低能大剂量硼注入Si(110)的化学状态和原子结构演变
机译:使用与改性等离子体辅助掺杂方法集成的脉冲激光退火工艺实现了共形和超浅结形成