通过激光退火和快速加温退火形成超浅结的方法

摘要

这项发明提供用来对包含搀杂材料的半导体晶片进行热处理的方法。在不使晶片熔化的情况下用足以激活搀杂材料激光能量照射晶片。除此之外，在比较低的温度下完成晶片的快速加温退火，以便修复结晶损伤。搀杂活动是在没有可测量的扩散的情况下实现的。快速的低温退火将这样修复结晶损伤，以致器件具有良好的迁移率和低的漏电流。