МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГИБРИДНЫХ ALGAAS/ ZN(MN)SE НАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ INAS/ALGAAS ВБЛИЗИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ИНТЕРФЕЙСА

摘要

Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии квантовых точек InAs в матрице Al0.35Ga0.65As в зависимости от температуры подложки, скорости осаждения и количества осажденного InAs. Определены оптимальные условия для получения массива самоорганизующихся квантовых точек с низкой плотностью (=<2?10~(10) см~(-2)) и малыми размерами (высота менее 4 нм). Продемонстрирована возможность формирования оптически активных квантовых точек InAs, излучающих в диапазоне энергий 1.3-1.4 эВ, на расстоянии не более 10 нм от когерентного гетеровалентного интерфейса GaAs/ZnSe. Установлено, что вставка в верхний барьерный слой AlGaAs оптически неактивной квантовой ямы GaAs (5 нм), туннельно-связанной с квантовыми точками InAs, улучшает эффективность фотолюминесценции массива квантовых точек в гибридных гетероструктурах.