芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究

赵翠俭; 孙素静

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芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究

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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一.采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相.采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响.在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14.

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来源
《材料导报》 |2014年第12期|34-37|共4页
作者
赵翠俭; 孙素静;
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作者单位

石家庄学院物理与电气信息工程学院,石家庄050035;

石家庄铁道大学信息科学与技术学院,石家庄050048;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
纳米线; 均匀性; GaAs-AlGaAs; 芯-壳结构; 金属有机化学气相沉积;

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