...
机译:新型沟槽栅极功率MOSFET具有高击穿电压并在漂移区中使用SiGe区域降低了导通电阻
Breakdown voltage; Buried oxide (BOX); On-resistance; SiGe zone; Trench gate MOSFET;
机译:新型沟槽栅极功率MOSFET具有高击穿电压并在漂移区中使用SiGe区域降低了导通电阻
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:双材料门技术可增强沟道功率MOSFET的跨导和击穿电压
机译:沟槽式MOSFET击穿电压的漂移区埋入氧化物技术
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:电离辐射对功率mOsFET击穿电压的影响