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徐大林; 王玉琦; 李新化; 史同飞;
中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所 合肥 230031;
中国科学技术大学 合肥 230026;
安徽建筑大学数理学院 合肥 230022;
沟槽栅极超势垒整流器; 电荷耦合效应; 击穿电压; 阶梯栅氧;
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:使用高击穿电压Gaas肖特基势垒二极管检查5.8 GHz带高效率整流器
机译:HMS整流器:新型混合MOS肖特基二极管概念,无势垒降低,低漏电流和高击穿电压
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:具有高k La2O3 / ZrO2栅极电介质的肖特基势垒SOI-MOSFET
机译:具有阻断NmOs和动态栅极控制电路的混合电压I / O缓冲器的设计,用于高耐压应用
机译:高击穿电压mEsFET,具有低温生长的Gaas钝化层和重叠栅极结构。 (重新公布新的可用性信息)
机译:高击穿电压电缆,高击穿电压电缆的耐压评估方法及绝缘型防雷系统
机译:具有高k栅极电介质和减少的掩模工艺的Trench MOS肖特基势垒整流器
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