表面再構成制御成長法で成長したSi（111）基板上のInSb MOSダイオードの作製

摘要

我々はこれまでに、Si（111）基板上に1原子層程度のIn及びSb原子を吸着させることにより形成されるInSb単分子層を介して、高品質なInSb薄膜を2段階成長法により作製できることを報告してきた。最近、1層目の成長温度、蒸着レート、蒸着量といった成長条件を最適化することで、室温の電子移動度が約38，000cm~2／Vsという非常に高品質なInSb薄膜（膜厚1μm）を作製可能となった。この移動度は膜厚1μmの試料における平均であるため、試料表面付近では移動度がさらに高い可能性がある。そのため、移動度の膜厚依存性を調査した。その結果、試料表面付近では61，000cm~2/Vsという非常に高い電子移動度を持っていることが分かった。また、この高い電子移動度をもったInSb薄膜を用い、Si基板上のInSb MOSFET実現性を調べることを目的として、Al_2O_3／InSbMOSダイオードを作製し、その特性を調べた。