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胡继超;
西安理工大学;
低压化学气相淀积; Si多层结构; 光电特性; 多晶硅膜晶料; 取向控制; SiC衬底; 交替掺杂;
机译:具有SiC缓冲层的Si(111)衬底上的SiC / ZnO五层多层结构和光学性质
机译:4H-SiC衬底上生长的SiC纳米线中与衬底有关的取向和多型性控制
机译:非晶氢化SiN / SiC / a-C多层涂层结构对SS301和Ti-6Al-4V衬底的腐蚀和摩擦腐蚀增强
机译:石墨烯在2“ 3C-SiC / Si模板上的CVD生长:衬底取向和晶圆均质性的影响
机译:Si衬底取向对通过闭空间升华(CSS)在不使用掩模的情况下对Si(111)和Si(211)衬底上CdTe选择性生长的质量的影响
机译:Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC的动力学表面粗糙化和晶圆弯曲控制
机译:衬底表面制备对不同取向4H-SiC衬底上LP MOVPE GaN外延的影响
机译:用于鲁棒微机电系统应用的低应力非晶si3N4 / si衬底上siC薄膜的生长和掺杂
机译:SiC晶体的制造方法和SiC晶体,以使微管从衬底延续到衬底,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶衬底
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:在SiC衬底上形成栅极氧化物的方法及SiC衬底和由此制备的器件
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