在(111)Si衬底上磁控溅射法制备纳米SiC薄膜

摘要

用射频磁控溅射法在硅衬底上生长出纳米颗粒结构的碳化硅薄膜 .在N2 气氛下经 3h 110 0℃退火 ,用X射线衍射 (XRD)、付里叶红外吸收谱 (FTIR)、X光电子能谱 (XPS)、原子力显微镜 (AFM )对薄膜样品进行结构、颗粒大小、组分和形貌分析 。