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硫酸銅浴からの銅電析におけるSPS吸着に及ぼすPEG平均分子量の影響

机译:PEG平均分子量对硫酸铜浴电沉积铜中SPS吸附的影响

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摘要

PEGとCl~-を含む系における,SPSの吸着に及ぼすPEGの平均分子量の影響について解析を行った。 分極曲線より求めたターフェル式のb係数からvを求めたところ,PEGCl~-,SPSの三成分を含む系におけるvの値は約3であったことから,この系における電析反応は3つの素過程があると考察された。 また,PEGの平均分子量が大きい系であるほど,PEGの被覆率が高く,SPSの吸着量も大きくなると考察された。 このことは,Cole-Coleプロットの解析からも確認された。 また,PEG, Cl~-,SPSの三成分を含む系から得られた銅皮膜の結晶粒子径が最も小さいことが認められたことから,SPSの吸着は銅の結晶成長を抑制する効果があると結論された。
机译:我们分析了在包含PEG和Cl〜-的系统中PEG的平均分子量对SPS吸附的影响。当从极化曲线获得的Tafel方程的b系数获得v时,在包含PEGCl-和SPS的三种成分的系统中,v的值约为3,因此该系统中存在三个电沉积反应。据认为,这是一个基本过程。还认为PEG的平均分子量越大,PEG的覆盖率越高并且SPS的吸附量越大。对Cole-Cole图的分析也证实了这一点。另外,由于发现从由包含PEG,Cl-和SPS的三种成分的系统获得的铜膜的晶体粒径最小,因此SPS的吸附具有抑制铜的晶体生长的作用。结论到此。

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