光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリ部の放射線耐性

摘要

我々は現在，レーザアレイ，ホログラムメモリ，ゲートアレイVLSIから構成され，光による高速動的再構成が可能な光再構成型ゲートアレイについて研究開発している．光再構成型ゲートアレイは放射線に対して高い耐性を有する．しかし，これまで光再構成型ゲートアレイの耐放射線エミュレーション試験を行ってきたが，実際に放射線を照射した試験は行っていなかった．この度，光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリに対してガンマ線を照射し，構成試験を実施した．本稿では，この試験を通して，光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリの放射線耐性を示す．