光再構成型ゲートアレイのホログラムメモリ部の耐放射線性能試験

摘要

近年，耐放射線FPGA（Field Programmable Gate Array）が開発され，宇宙空間にもFPGAが利用されている．しかし，FPGAにはコンフィグレーション回路に問題があるため，放射線耐性の向上は難しい．そのため，我々はより放射線耐性の高いデバイスとして光再構成型ゲートアレイの研究開発を行っている．光再構成型ゲートアレイは既存の集積回路技術に光学技術を導入することで，FPGAと比べ高い放射線耐性を実現している．本稿では，光再構成型ゲートアレイの構成要素の1つであるホログラムメモリに対しての放射線耐性試験の結果について報告する．