透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ

摘要

シリコン基板上に透明ゲートAlGaN/GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）を作製した。デバイス表面から紫外光及び短波可視光を照射し、DC特性及び紫外線フォトディテクタとしての特性を評価した。紫外光を照射したところ、顕著なドレイン電流の増加と閾値電圧の負方向へのシフトが発生した。これから透明ゲート下で励起が生じたことが確認された。ゲート電極をピンチオフ状態で動作させることにより暗電流を低減できた。照射光強度200μW／cm~2及び波長360mm以下おいて3×10~5A/Wという高い受光感度を得られた。