フッ素系ドライエッチングを用いて形成されたゲートフィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの閾値電圧変動解析

机译：具有基于氟干蚀刻的栅场板的AlGaN / GaN HEMT的阈值电压波动分析

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SF_6ドライエツチングによりゲート部の保護膜を開口して作製したAlGaN/GaN HEMTに関し，打ち込まれたF~-によるV_(th)変動への影響について調べた.実験的にV_(th)変動が温度およびゲートバイアス電圧に強く依存することを確認した.この結果はF~-として-1価の可動イオンを仮定したドリフ卜-拡散モデルに基づき，活性化エネルギーとして～1.2eVを用いてシミュレーションすることでよく説明できることを示した.結果として，V_(th)変動はゲート電極直下からソース，ドレイン電子極方向へのF~-の移動により生じている可能性が高いことが分かった.

机译：对于通过SF_6干法刻蚀在栅极处打开保护膜而制得的AlGaN / GaN HEMT，研究了注入的F〜对V_（th）波动的影响，实验中，V_（th）波动是温度。证实了它很大程度上取决于栅极偏置电压，该结果基于漂移扩散模型，假设-1价移动离子为F〜-，并以〜1.2 eV作为激活能进行了仿真。我们发现，V_（th）波动很可能是由F〜-从栅电极正下方朝向源极和漏极电子极的运动引起的。

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来源
《電子デバイス研究会》|2019年|33-37|共5页
会议地点
作者
瓜生和也; 佐藤拓; 岡安潤一;
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作者单位

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正文语种
中图分类
关键词
窒化ガリゥム; 高電子移動度トランジスタ; ゲートフィールドブレート; フッ素イオン; 閾値電子压变動; TCADシミュレーシヨン;

机译：氮化镓;高电子迁移率晶体管;栅极场板;氟离子;门限电子压力转换; TCAD模拟;

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