机译:GaN HEMT低温退火的Ta基欧姆接触的电性能,微观结构和热稳定性
Chalmers University of Technology, SE-412 96,Gothenburg, Sweden;
United Monolithic Semiconductors GmbH, 89081 Ulm, Germany;
Chalmers University of Technology, SE-412 96,Gothenburg, Sweden;
机译:用于GaN HEMT的具有欧姆凹槽和低温退火的通用低电阻欧姆接触工艺
机译:Ti基欧姆接触n-GaN的微观结构,电性能和热稳定性
机译:p型GaN低温处理欧姆接触的微观结构和电性能
机译:通过低温退火(<450 ° sup> C)用于u-AlGaN / AlN / GaN HEMT的CMOS兼容Ti / Al欧姆接触(R
机译:高温电子用镍基欧姆接触碳化硅的热稳定性的电,化学和微观结构分析
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:AuPtAlTi欧姆\ ud的结构和电学表征 在不同的退火温度和\ ud下与AlGaN / GaN接触 铝含量