机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:两步退火法优化与n-GaN的Ti / Al / Ti-W / Au欧姆接触的表面形态和电性能
机译:基于Ti / Al的Au-Free欧姆接触金属化的结构和电气研究AlGaN / GaN Hemts
机译:具有AlN夹层的未掺杂GaN HEMT结构上Ta / Ti / Al / Mo / Au和Ti / Al / Mo / Au欧姆接触的电比较
机译:三种(111),蓝宝石,4H-SIC基板上的Algan / GaN Hemts中Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电性能和表面形态的比较优化
机译:镍/金和钯/金欧姆接触与清洁的p型氮化镓(0001)表面之间形成的界面的电,化学和结构表征。
机译:AlGaN / GaN异质结构上的近表面处理:纳米级电学和结构表征
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌