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机译:在r蓝宝石衬底上的a面GaN膜上和a面体GaN衬底上制造的蓝色发光二极管
Institute of Technology and Science, The University of Tokushima, 2-1 Minami-josanjima, Tokushima 770-8506, Japan;
electroluminescence; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.); light-emitting devices;
机译:蓝宝石衬底上的a面InGaN / GaN蓝绿色发光二极管的拉曼光谱和发射特性
机译:在m面和a面体GaN衬底上生长的InGaN / GaN发光二极管的比较
机译:一步横向生长以降低r蓝宝石衬底上a面GaN的缺陷密度及其在发光体中的应用
机译:MOCVD在r面蓝宝石衬底上生长的a面GaN膜上AlGaN缓冲层中Al组成的影响
机译:在柔性基板上制造的非晶硅薄膜晶体管有源矩阵有机发光二极管显示器。
机译:从硅衬底上分离出来的独立式GaN上的InGaN / GaN蓝色发光二极管的正向隧穿特性研究
机译:非极性M平面INXGA1-XN / GAN蓝光发光二极管的预期发射效率和平面光极化,在独立GAN基板上制造