机译:非极性M平面INXGA1-XN / GAN蓝光发光二极管的预期发射效率和平面光极化,在独立GAN基板上制造
机译:在独立式GaN衬底上制造的非极性m平面In_xGa_(1-x)N / GaN蓝色发光二极管的预期发射效率和面内偏振光
机译:在低缺陷密度独立式GaN衬底上制造的m平面In_(0.15)Ga_(0.85)N / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的量子受限Stark效应
机译:非极性m面体GaN衬底上的高亮度蓝色InGaN / GaN发光二极管
机译:摩尔分数对基于单量子阱的InxGa1-xN / GaN蓝色发光二极管功率谱密度的影响
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:非极性InxGa1-xN / GaN多壳纳米管异质结构的发射彩色调谐的发光二极管微阵列
机译:LiAlO2(100)衬底上的非极性m平面薄膜GaN和InGaN / GaN发光二极管
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管