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机译:通过在超高真空中间歇注入TEG / AsH_3制备的重达5 x 10〜(20)cm〜(-3)的超重掺杂砷化镓中的Te和Se的电活化
机译:通过在超高真空中间歇性地供应AsH_3 / TEG来掺杂GaAs
机译:表面化学计量对超高真空中间歇供应AsH_3和TEG的GaAs中Be掺杂的影响
机译:超高真空中间歇注入TEGa / AsH_3所生长的重掺杂Te的GaAs的X射线多晶衍射分析
机译:通过间歇注射TMG和ASH_3制备的均匀掺杂N-GAAs下大气压下的持续光电导性
机译:完全可溶的自掺杂聚(34-乙撑二氧噻吩)电导率大于1000 S cm-1
机译:通过脉冲激光沉积在10×10cm 2 sup>底物上制备的非晶态掺杂ZnO薄膜的性质
机译:退火诱导的棱柱形位错环及重掺杂Gaas2的电学变化。