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中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法

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本发明涉及半导体材料技术，用于透射式负电子亲和势砷化镓光阴极器件。砷化镓光阴极材料核心部件是有源区。有源区是P型掺杂砷化镓，掺杂源是铍。本发明砷化镓光阴极材料有源区有两层：内层和表面层，内层的外侧是窗口层，表面层的外侧是铯/氧激活层。有源区内层为中浓度掺杂1～8×10

著录项

公开/公告号CN100426439C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN200310121794.9
发明设计人王晓峰;曾一平;
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申请日2003-12-24
分类号
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人周国城
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:01:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-03-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 1/34 授权公告日:20081015 终止日期:20101224 申请日:20031224

专利权的终止
2008-10-15

授权

授权
2005-08-24

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-06-29

公开

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