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机译:干法刻蚀具有InAs量子点的GaAs / AIGaAs基外延晶片中的深孔,用于制造光子晶体激光器
Osaka Univ, Grad Sch Engn, Suita, Osaka 5650871, Japan;
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机译:具有InAs量子点的GaAs光子晶体纳米腔激光器的设计,制造和光学表征,通过晶片结合到Si衬底上
机译:InGaAs亚单层量子点和InAs量子点光子晶体垂直腔面发射激光器的特性
机译:利用光子集成电路的双光子泵浦操作InAs量子点嵌入式GaAs光子晶体平板波导激光器
机译:使用针对光子晶体激光制造的光学测量评估具有嵌入式InAs量子点的GaAs核心层的选择性干蚀刻
机译:在2-D电场下探索InAs / GaAs量子点和量子点分子中的单孔状态
机译:消除用于制备1.3μm量子点激光器的InAs / GaAs量子点中的双峰尺寸
机译:用于光子集成电路的双光子泵浦操作Inas量子点嵌入式Gaas光子晶体平板波导激光器