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秦璐; 徐波; 许兴胜;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 北京100083;
中国科学院大学材料光电研究中心 北京1001408;
中国科学院半导体研究所材料重点实验室 北京100083;
量子点; 光子晶体; 激光全息曝光; 光致发光光谱;
机译:InAs / GaAs量子点的激发态与温度有关的异常光致发光:激发态与基态之间的载流子交换
机译:利用光子集成电路的双光子泵浦操作InAs量子点嵌入式GaAs光子晶体平板波导激光器
机译:尺寸分布对Inas / Gaas自组装量子点激发态发光衰变的影响
机译:嵌入GaAs光子晶体平板线缺陷波导的InAs量子点中的增强上转换发光
机译:InAs量子点的近带隙两光子激发发光
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:Inas-Gaas和Inas-InGaas-Gaas量子点异质结构的温度依赖性调制反射率和光致发光
机译:在错误定向衬底上生长的自组织Inas / Gaas量子点的光致发光衰减时间测量。
机译:具有梯度成分的GaAsSb层可降低InAs / GaAs量子点中的应力
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