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【24h】

MBE: on the light side

机译:MBE:从正面看

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摘要

The UCSB Santa Barbara location suited the North American Molecular Beam Epitaxy conference, with its relaxed, close-knit community. Sitting outside the amiably small airport, waiting to depart, after the conference, Ravi Droopad, Distinguished Member of Freescale Semiconductor technical staff reflected that NAMBE had been workshops and changed considerably, with the 2005 meeting, unlike earlier ones, showing in its attention to oxides and advanced material, the pressures now facing dead-end silicon.
机译:UCSB在圣塔芭芭拉分校的会议与北美地区分子束外延会议相得益彰,拥有轻松而紧密的社区。会议结束后,飞思卡尔半导体技术人员尊贵的成员拉维·德鲁帕德(Ravi Droopad)坐在一个宜人的小机场外,等待出发,这反映出NAMBE一直是研讨会,并且发生了很大变化,在2005年的会议上,与之前的会议不同,它对氧化物的关注和先进的材料,如今硅面临的压力越来越大。

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