机译:超过1.2μm的MBE生长策略和GaAsBi量子阱发光结构的优化
机译:MBE n-ZnO / MOCVD p-GaN异质结发光二极管
机译:纠缠发光的In(Ga)As量子点的MBE生长
机译:298 nm MBE生长的AlN-Delta-GaN量子阱紫外发光二极管的显着横向电偏振发射
机译:MBE早期过渡金属碲化物的生长和修饰
机译:通过原位脉冲激光拍摄使MBE-生长的GA-DROPLET的容易尺寸重新分配。
机译:MBE-GPT '99点亮华沙
机译:用于mBE生长薄膜的原位高灵敏度布里渊光散射光谱仪