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Gallium nitride materials and devices XII
Gallium nitride materials and devices XII
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1.
Recent Progress of High-Quality GaN Substrates by HVPE Method
机译:
HVPE法制备高质量GaN衬底的最新进展
作者:
Hajime Fujikura
;
Takehiro Yoshida
;
Masatomo Shibata
;
Yohei Otoki
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
gallium nitride;
freestanding substrate;
hydride vapor-phase epitaxy;
void-assisted separation;
dislocation;
hardness;
2.
Carrier dynamics studies of III-nitride materials using photo-acoustic and photoluminescence measurements
机译:
使用光声和光致发光测量研究III型氮化物材料的载流子动力学
作者:
Atsushi A. Yamaguchi
;
Takashi Nakano
;
Shigeta Sakai
;
Haruki Fukada
;
Yuya Kanitan
;
Shigetaka Tomiya
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
Internal quantum efficiency;
III-nitride semiconductors;
photoluminescence;
photo-acoustic measurement;
3.
AlGaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors with high external quantum effciency at low operating voltage
机译:
低工作电压下具有高外部量子效率的基于AlGaN的金属半导体金属光电探测器
作者:
M. Brendel
;
F. Brunner
;
A. Knigge
;
M. Weyers
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
AlGaN;
photodetector;
metal-semiconductor-metal;
bottom illumination;
external quantum efficiency;
asymmetry;
geometry;
metallization;
4.
Nanoscale characterization of GaN/InGaN multiple quantum wells on GaN nanorods by photoluminescence spectroscopy
机译:
GaN纳米棒上GaN / InGaN多量子阱的纳米尺度表征
作者:
Weijian Chen
;
Xiaoming Wen
;
Michael Latzel
;
Jianfeng Yang
;
Shujuan Huang
;
Santosh Shrestha
;
Robert Patterson
;
Silke Christiansen
;
Gavin Conibeer
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
Nanoscale optical characterization;
GaN/InGaN multiple quantum well;
nanorods;
photoluminescence;
5.
Optimal III-nitride HEMTs - Prom Materials and Device Design to Compact model of the 2DEG Charge Density
机译:
最佳III氮化物HEMT-舞会材料和器件设计,以紧凑的2DEG电荷密度模型
作者:
Kexin Li
;
Shaloo Rakheja
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
III-nitride technology;
Quasi-ballistic transport;
2D electrostatics;
Landauer Transmission;
TCAD;
Device optimization;
6.
Electrical Characteristics of High-Power AlGaN-GaN High Electron Mobility Transistors Irradiated with Protons and Heavy Ions
机译:
质子和重离子辐照的高功率AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管的电学特性
作者:
Yongkun Sin
;
Jeremy Bonsall
;
Zachary Lingley
;
Miles Brodie
;
Maribeth Mason
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
AlGaN-GaN heterostructure;
HEMTs;
high power HEMTs;
reliability;
radiation effects;
7.
Investigation of GaN Fin-HEMTs with Micron-scale Fin Width
机译:
微米级鳍宽的GaN Fin-HEMT研究
作者:
Li-Cheng Chang
;
Ming Yang
;
Yi-Hong Jiang
;
Chao-Hsin Wu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
AlGaN/GaN;
Fin-HEMT;
threshold voltage;
Schottky;
thermal resistance;
8.
Modeling of optical and electrical confinements in nitride VCSELs
机译:
氮化物VCSEL中的光和电限制建模
作者:
P. Spiewak
;
M. Wasiak
;
A. K. Sokol
;
R. P. Sarzala
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
computer modeling;
gallium nitride;
tunnel junction;
ITO;
VCSEL;
9.
Dominant Transverse-Electric Polarized Emission from 298 nm MBE-Grown AlN-Delta-GaN Quantum Well Ultraviolet Light-Emitting Diodes
机译:
298 nm MBE生长的AlN-Delta-GaN量子阱紫外发光二极管的显着横向电偏振发射
作者:
Cheng Liu
;
Yu Kee Ooi
;
SM. Islam
;
Huili (Grace) Xing
;
Debdeep Jena
;
Jing Zhang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
AlN Delta GaN Quantum Well;
Ultraviolet;
Light Emitting Diodes;
Transverse Electric-Polarized;
10.
Semipolar InGaN-based superluminescent diodes for solid-state lighting and visible light communications
机译:
半固态基于InGaN的超发光二极管,用于固态照明和可见光通信
作者:
Chao Shen
;
Tien Khee Ng
;
Changmin Lee
;
John T. Leonard
;
Shuji Nakamura
;
James S. Speck
;
Steven P. Denbaars
;
Ahmed Y. Alyamani
;
Munir M. El-Desouki
;
Boon S. Ooi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
Amplified spontaneous emission;
gallium nitride;
InGaN;
laser diode;
light-emitting diode;
superluminescent diodes;
solid-state lighting;
visible light communication;
11.
InGaN-based Flexible Light Emitting Diodes
机译:
基于InGaN的柔性发光二极管
作者:
C. Bayram
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
flexible;
light emitting diode;
Gallium Nitride;
laser lift-off;
chemical lift-off;
Smartcut;
spalling;
12.
Predicted Lattice-Misfit Stresses in a Gallium-Nitride (GaN) Film
机译:
氮化镓(GaN)膜中的预测晶格失配应力
作者:
E. Suhir
;
S.Yi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
13.
Design of Al-rich AlGaN quantum well structures for efficient UV emitters
机译:
用于高效紫外线发射器的富铝AlGaN量子阱结构设计
作者:
Mitsuru Funato
;
Shuhei Ichikawa
;
Kyosuke Kumamoto
;
Yoichi Kawakami
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
AlGaN;
Quantum wells;
Misfit dislocations;
Ultraviolet emitters;
14.
Radiative recombination in polar, non-polar, and semi-polar III-nitride quantum wells
机译:
极性,非极性和半极性III型氮化物量子阱中的辐射复合
作者:
Andreas Hangleiter
;
Torsten Langer
;
Philipp Henning
;
Fedor Alexej Ketzer
;
Philipp Horenburg
;
Ernst Ronald Korn
;
Heiko Bremers
;
Uwe Rossow
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
Ill-nitrides;
quantum wells;
polar;
non-polar;
semi-polar;
radiative recombination;
excitons;
15.
Health-friendly, high-quality white light using violet-green-red laser and InGaN nanowires-based true yellow nanowires light-emitting diodes
机译:
使用紫绿色红色激光和基于InGaN纳米线的真黄色纳米线发光二极管,提供健康,高质量的白光
作者:
BILAL JANJUA
;
TIEN K. NG
;
CHAO ZHAO
;
DALAVER H. ANJUM
;
ADITYA PRABASWARA
;
GIUSEPPE BERNARDO C0NSIGLIO
;
CHAO SHEN
;
BOON S. OOI
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
Yellow;
nanowire;
light emitting diode;
laser;
violet;
white light;
solid-state lighting;
circadian rhythm;
16.
Electrically conductive ZnO/GaN distributed Bragg reflectors grown by hybrid plasma-assisted molecular beam epitaxy
机译:
混合等离子体辅助分子束外延生长的导电ZnO / GaN分布布拉格反射器
作者:
Filip Hjort
;
Ehsan Hashemi
;
David Adolph
;
Tommy Ive
;
Asa Haglund
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
ZnO;
GaN;
hybrid PAMBE;
DBR;
electrical conductivity;
VCSEL;
17.
GaN HEMTs with p-GaN gate: field- and time-dependent degradation
机译:
具有p-GaN栅极的GaN HEMT:取决于场和时间的退化
作者:
G. Meneghesso
;
M. Meneghini
;
I. Rossetto
;
E. Canato
;
J. Bartholomeus
;
C. De Santi
;
N. Trivellin
;
E. Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
GaN;
high electron mobility transistors;
normally-off;
degradation;
trapping;
NBTI;
18.
Piezoelectric Modulation of Surface Voltage in GaN and AlGaN/GaN: Charge Screening Effects and 2DEG
机译:
GaN和AlGaN / GaN中表面电压的压电调制:电荷屏蔽效应和2DEG
作者:
Marshall Wilson
;
Bret Schrayer
;
Alexandre Savtchouk
;
Bob Hillard
;
Jacek Lagowski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
GaN;
AlGaN;
2DEG and piezoelectric;
19.
Recent Improvement in Nitride Lasers
机译:
氮化物激光器的最新改进
作者:
Shingo Masui
;
Yoshitaka Nakatsu
;
Daiji Kasahara
;
Shin-ichi Nagahama
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
InGaN;
high-power lasers;
blue LDs;
green LDs;
20.
AlGaInN diode-laser technology for optical clocks and atom interferometry
机译:
用于光学时钟和原子干涉的AlGaInN二极管激光技术
作者:
S.P. Najda
;
P. Perlin
;
T. Suski
;
L. Marona
;
S.Stanczyk
;
M. Leszczynski
;
P. Wisniewski
;
R. Czernecki
;
G. Targowski
;
C. Carson
;
D. Stothard
;
L.J. McKnight
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
GaN laser;
GaN array;
GaN systems;
Optical atomic clocks;
atom interferometry;
21.
Gallium Nitride Light Sources for Optical Coherence Tomography
机译:
用于光学相干断层扫描的氮化镓光源
作者:
Graham R. Goldberg
;
Pavlo Ivanov
;
Nobuhiko Ozaki
;
David T. D. Childs
;
Kristian M. Groom
;
Kenneth L. Kennedy
;
Richard A. Hogg
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
absorber;
broadband;
gallium nitride;
optical coherence tomography;
resolution;
SLED;
superluminescent;
22.
Processing and characterization of high resolution GaN/InGaN LED arrays at 10 micron pitch for micro display applications.
机译:
用于微型显示应用的10微米间距高分辨率GaN / InGaN LED阵列的处理和表征。
作者:
Ludovic Dupre
;
Marjorie Marra
;
Valentin Verney
;
Bernard Aventurier
;
Franck Henry
;
Francois Olivier
;
Sauveur Tirano
;
Anis Daami
;
Francois Templier
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices XII》
|
2017年
关键词:
GaN;
arrays;
micro LED;
micro display;
self-aligned;
deep etching;
pixel;
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