机译:InAlN / GaN和InAlN / AlGaN / GaN异质结FET的电学特性对AlN层间厚度的依赖性
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, 243-0198 Japan;
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, 243-0198 Japan;
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, 243-0198 Japan;
GaN-based FETs; HEMTs; InAlN; AlInN; AlGaN;
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:InAlN / GaN和AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中电应力的低频噪声测量
机译:分子束外延制备InAlN / GaN异质结构的性能。
机译:厚度取决于在c面GaN上沉积的原子层中AlN的界面和电学性质
机译:热声子寿命对块状GaN衬底上的InAlN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子速度的影响
机译:温度和电子辐射对alGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响