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Gallium nitride materials and devices VI
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1.
Two-Dimensional Drift-Diffusion Simulation on GaN HFETs
机译:
GaN HFET的二维漂移扩散模拟
作者:
Qian Fan
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
2.
Optical polarization of UV-A and UV-B (In)(Al)GaN multiple quantum well light emitting diodes
机译:
UV-A和UV-B(In)(Al)GaN多量子阱发光二极管的光偏振
作者:
Tim Kolbe
;
Arne Knauer
;
Joachim Stellmach
;
Chris Chua
;
Zhihong Yang
;
Sven Einfeldt
;
Patrick Vogt
;
Noble M. Johnson
;
Markus Weyers
;
Michael Kneissl
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
UV LED;
(In)AlGaN MQW;
polarization;
transverse-electric;
transverse-magnetic;
MOVPE;
3.
New factors affecting HFET stability, 1/f noise and reliability
机译:
影响HFET稳定性,1 / f噪声和可靠性的新因素
作者:
Peter H. Handel
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
quantum 1/f noise;
piezoelectric quantum 1/f noise;
algan/gan hfets optimization and reliability;
noise in hfets and modfets;
mishfet;
1/f noise-based fet/hfet reliability optimization and testing;
4.
Kelvin Probe Measurements of p-type GaN
机译:
p型GaN的开尔文探针测量
作者:
M. Foussekis
;
X. Ni
;
H. Morkoc
;
M.A. Reshchikov
;
A.A. Baski
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
surface photovoltage;
Kelvin probe;
GaN;
band bending;
5.
Cathodoluminescence spectroscopy on selectively grown GaN nanowires
机译:
选择性生长的GaN纳米线上的阴极发光光谱
作者:
T. Schumann
;
T. Gotschke
;
F. Limbach
;
T. Stoica
;
R. Calarco
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
nanowires;
MBE;
SAG;
CL;
6.
Growth and fabrication of InN-based Ill-nitride device structure using droplet elimination process by radical beam irradiation
机译:
利用自由基束辐射的液滴消除工艺来生长和制造基于InN的III族氮化物器件结构
作者:
Tomohiro Yamaguchi
;
Tsutomu Araki
;
Yasushi Nanishi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
InN;
MBE;
New growth method;
insitu monitoring;
periodic InN/InGaN structure;
7.
Thermoelectric Properties of MOCVD-Grown AlInN Alloys with Various Compositions
机译:
不同组成的MOCVD生长的AlInN合金的热电性能
作者:
Jing Zhang
;
Hua Tong
;
Guangyu Liu
;
Juan A. Herbsommer
;
G. S. Huang
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
AlInN;
Thermoelectric;
Seebeck Coefficient;
MOVPE;
8.
High-performance blue and green laser diodes based on nonpolar/semipolar bulk GaN substrates
机译:
基于非极性/半极性块状GaN衬底的高性能蓝色和绿色激光二极管
作者:
James W. Raring
;
Mathew C. Schmidt
;
Christiane Poblenz
;
Ben Li
;
Yu-Chia Chang
;
Mark J.Mondry
;
You-Da Lin
;
Michael R. Krames
;
Richard Craig
;
James S. Speck
;
Steven P. DenBaars
;
Shuji Nakamura
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
laser diodes;
gan;
nonpolar gan;
semipolar gan;
green laser diodes;
blue laser diodes;
9.
Hydrogen etch of GaN and its application to produce porous GaN caves
机译:
GaN的氢蚀刻及其在生产多孔GaN洞穴中的应用
作者:
Yen-Hsien Yeh
;
Ying-Chia Hsu
;
Yin-Hao Wu
;
Kuei-Ming Chen
;
Wei-I Lee
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
Hydrogen etch;
Hydride vapor phase epitaxy;
Gallium Nitride;
Semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials;
10.
Recent developments in AIGaN based laser diodes for short ultraviolet region
机译:
用于短紫外区域的基于AIGaN的激光二极管的最新进展
作者:
Harumasa Yoshida
;
Masakazu Kuwabara
;
Yoji Yamashita
;
Kazuya Uchiyama
;
Hirofumi Kan
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
ultraviolet;
laser diodes;
aigan;
quantum efficiency;
carrier recombination;
11.
High modal gain in Ga(NAsP)/(BGa)((As)P) heterostructures grown lattice matched on (001) silicon
机译:
在(001)硅上匹配晶格生长的Ga(NAsP)/(BGa)((As)P)异质结构中的高模态增益
作者:
N. Koukourakis
;
D.A. Funke
;
N.C. Gerhardt
;
M.R. Hofrmann
;
S.Liebich
;
C. Bueckers
;
S.Zinnkann
;
M. Zimprich
;
A. Beyer
;
S. Chatterjee
;
S. W. Koch
;
B. Kunert
;
K. Volz
;
W. Stolz
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
semiconductor laser;
silicon photonics;
12.
Measurement of nonuniform bowing in GaN/sapphire epi-wafers and subsequent stress analysis by using a theoretical model
机译:
使用理论模型测量GaN /蓝宝石外延晶片中的不均匀弯曲以及随后的应力分析
作者:
Yuseong Jang
;
Dong-Hyun Jang
;
Jong-In Shim
;
Dong-Soo Shin
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
gan;
nonuniform bow;
wafer stress;
time-resolved photoluminescence;
13.
Current spreading effect in vertical GaN/InGaN LEDs.
机译:
垂直GaN / InGaN LED中的电流扩散效应。
作者:
Chi-Kang Li
;
Yuh-Renn Wu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
14.
Low-frequency noise measurements of generation-recombination effect and field-assisted emission in AlGaN/GaN MOSHFETs and HFETs
机译:
AlGaN / GaN MOSHFET和HFET中产生复合效应和场辅助发射的低频噪声测量
作者:
Cemil Kayis
;
Jacob H. Leach
;
C. Y. Zhu
;
Mo Wu
;
X. Li
;
X. Yang
;
Veena Misra
;
Peter H.Handel
;
UE. OEzguer
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
Low-frequency noise;
generation-recombination;
GaN HFET;
MOSHFET;
field-emission;
15.
Optimization of ZnO:Ga properties for application as a transparent conducting oxide in InGaN based light emitting diodes
机译:
ZnO:Ga特性的优化,以用作基于InGaN的发光二极管中的透明导电氧化物
作者:
H.Y. Liu
;
X. Li
;
S. Liu
;
X. Ni
;
V. Avrutin
;
N. Izyumskaya
;
UE. OEzguer
;
A.B. Yankovich
;
A.V. Kvit
;
P.M. Voyles
;
M.A. Reshchikov
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
LEDs;
GZO;
16.
Enhancement of external quantum efficiency in GaN based LEDs
机译:
增强基于GaN的LED的外部量子效率
作者:
Jun Ho Son
;
Jong-Lam Lee
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
vertical light-emitting diodes;
quasi-photonic crystal;
photochemical etching;
reflective p-contact;
mgo nano-pyramids;
efficiency droop;
piezoelectric polarization;
17.
Modeling of Ill-nitride Light-Emitting Diodes: Progress, Problems, and Perspectives
机译:
不良氮化物发光二极管的建模:进展,问题和观点
作者:
Sergey Yu. Karpov
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
ⅲ-nitride semiconductors;
leds;
simulation;
internal quantum efficiency;
current spreading;
light extraction efficiency;
light conversion;
18.
Properties of TCO anodes deposited by APCVD and their applications to OLEDs
机译:
APCVD沉积的TCO阳极的性质及其在OLED中的应用
作者:
R. Y. Korotkov
;
P. Ricou
;
L. Fang
;
J. Coffey
;
G. Silverman
;
M. Ruske
;
H. Schwab
;
A. B. Padmaperuma
;
D. J. Gaspar
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
APCVD;
OLEDs;
differential Hall-effect;
undercoat;
19.
Impact of ballistic electron transport on efficiency of InGaN based LEDs
机译:
弹道电子传输对基于InGaN的LED效率的影响
作者:
F. Zhang
;
X. Li
;
S. Liu
;
S. Okur
;
V. Avrutin
;
U. Ozgur
;
H. Morkoc
;
A. Matulionis
;
M. Kisin
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
m-plane GaN;
light emitting diodes;
internal quantum efficiency;
external quantum efficiency;
InGaN;
20.
The development of monolithic alternating current light-emitting diode
机译:
单片交流发光二极管的研制
作者:
Wen-Yung Yeh
;
His-Hsuan Yen
;
Yi-Jen Chan
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
light emitting diode;
alternating current;
schottky diode;
21.
Etching Formation of GaN Micro Optoelectronic Device Array
机译:
GaN微光电器件阵列的刻蚀形成
作者:
Qian Fan
;
Frank Lee
;
Kameshwar Yadavalli
;
Michael S. Lee
;
Chih-Li Chuang
;
Hussein S.El-Ghoroury
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
22.
Fabrication of high efficiency LED using moth-eye structure
机译:
使用蛾眼结构制造高效LED
作者:
H. Sakurai
;
T. Kondo
;
A. Suzuki
;
T. Kitano
;
M. Mori
;
M. Iwaya
;
T. Takeuchi
;
S. Kamiyama
;
I. Akasaki
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
moth-eye structure;
LED;
ITO;
nitride;
face-up;
light extraction;
electron-beam lithography;
23.
1/f Noise in Schottky diodes
机译:
肖特基二极管的1 / f噪声
作者:
Peter H. Handel
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
Schottky Diodes;
1/f noise;
Quantum 1/f noise;
GaN-based diodes,;
THz detection;
THz imaging;
Metal-semiconductor diodes;
UHF rectifiers;
24.
Characteristics of InGaN/sapphire-based photovoltaic devices with different superlattice absorption layers and buffer layers
机译:
具有不同超晶格吸收层和缓冲层的InGaN /蓝宝石基光伏器件的特性
作者:
Chih-Ciao Yang
;
Jinn-Kong Sheu
;
Min-Shun Huang
;
Shang-Ju Tu
;
Feng-Wen Huang
;
Kuo-Hua Chang
;
Ming-Lun Lee
;
Wei-Chih Lai
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
InGaN;
GaN;
sapphire;
photovoltaic;
superlattice;
buffer layer;
25.
Fabrication and lasing characteristics of GaN nanopillars
机译:
GaN纳米柱的制备和激光发射特性
作者:
Ming-Hua Lo
;
Yuh-Jen Cheng
;
Hao-Chung Kuo
;
Shing-Chung Wang
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
gan nanopillar;
gan laser;
excitonic emission;
26.
Heterostructure designs for enhanced performance and reliability in GaN HFETs: Camelback channels
机译:
异质结构设计可增强GaN HFET的性能和可靠性:驼峰式通道
作者:
J. H. Leach
;
M. Wu
;
H. Morkoc
;
M. Ramonas
;
A. Matulionis
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN HFET;
HEMT;
InAIN;
hot electrons;
hot phonons;
plasmon;
electron velocity;
reliability;
27.
Plasmonic effects in In(Ga)N
机译:
In(Ga)N中的等离子效应
作者:
Sergey V. Ivanov
;
Tatiana V. Shubina
;
Alexey A. Toropov
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
localized plasmons;
excitons;
metal nanoparticles;
ingan;
inn;
nanocomposite;
purcell effect;
terahertz emission;
28.
Growth of GaN single crystals by a Ca- and Ba-added Na flux method
机译:
通过添加Ca和Ba的Na助熔剂法生长GaN单晶
作者:
H. Ukegawa
;
Y. Konishi
;
T. Fujimori
;
N. Miyoshi
;
M. Imade
;
M. Yoshimura
;
Y. Kitaoka
;
T.Sasaki
;
Y. Mori
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
nitride;
crystal growth;
impurity;
habit, Ca;
Ba;
29.
Enhancement in Light Extraction Efficiency of GaN-based Vertical Light-Emitting Diodes by AgCu-based Reflectors
机译:
AgCu基反射器增强GaN基垂直发光二极管的光提取效率
作者:
Tak Jeong
;
Seung Whan Kim
;
Jong Hyeob Baek
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
reflectors;
agcu;
vertical light-emitting diodes;
ag agglomeration;
30.
Growth of semi-polar GaN-based light-emitting diodes grown on an patterned Si substrate
机译:
在图案化的Si基板上生长的基于GaN的半极性发光二极管
作者:
Ching-Hsueh Chiu
;
Da-Wei Lin
;
Zhen-Yu Li
;
Shih-Chun Ling
;
Hao-Chung Kuo
;
Tien-ChangLu
;
Shing-Chung Wang
;
Wei-Tasi Liao
;
Tomoyuki Tanikawa
;
Yoshio Honda
;
MasahitoYamaguchi
;
Nobuhiko Sawaki
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
LEDs;
MOCVD;
Si;
semi-polar;
efficiency droop;
31.
Enhanced hydrogen gas generation rate by n-GaN photoelectrode with immersed finger-type indium tin oxide ohmic contacts
机译:
浸入式指型铟锡氧化物欧姆接触的n-GaN光电极提高了氢气的产生率
作者:
Shu-Yen Liu
;
Jhao-Cheng Ye
;
Yu-Chuan Lin
;
Kuo-Hua Chang
;
Ming-Lun Lee
;
Wei-Chih Lai
;
Jinn-Kong Sheu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
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2011年
关键词:
gan;
water splitting;
indium tin oxide;
photoelectrochemistry;
32.
Deep Inductively Coupled Plasma Etching of ELO-GaN Grown With High Fill Factor
机译:
高填充因子生长的ELO-GaN的深感应耦合等离子体蚀刻
作者:
Haiyong Gao
;
Jaesoong Lee
;
Xianfeng Ni
;
Jacob Leach
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
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2011年
33.
Electrical properties of In-doped ZnO films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on GaN(OOOl) template
机译:
在GaN(OOOl)模板上通过等离子体辅助分子束外延生长的In掺杂ZnO薄膜的电学性质
作者:
Cheng-Yu Chen
;
Li-Han Siao
;
Jen-Inn Chyi
;
Chih-Kang Chao
;
Chih-Hung Wu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
indium doped zno;
molecular beam epitaxy;
n-type;
carrier concentration;
mobility;
resistivity;
photoluminescence;
34.
Low-frequency noise measurements of electrical stress in InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
机译:
InAlN / GaN和AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管中电应力的低频噪声测量
作者:
Cemil Kayis
;
C. Y. Zhu
;
Mo Wu
;
Xing Li
;
UEmit OEzguer
;
Hadis Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
low-frequency noise;
gan hfet;
degradation;
electrical stress;
reliability;
35.
Direct observation of lattice constant variations depending on layer structures in an InGaN / GaN MQW LED
机译:
直接观察取决于InGaN / GaN MQW LED中层结构的晶格常数变化
作者:
Shigeya Kimura
;
Koichi Tachibana
;
Toshiyuki Oka
;
Hajime Nago
;
Hisashi Yoshida
;
Shinya Nunoue
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
multiple quantum wells;
x-ray diffraction;
transmission electron microscopy;
fast fourier transform mapping;
three-dimensional atom probe;
electroluminescence;
36.
Growth of crack-free semi-polar (1-101) GaN on a 7°-off (001) Si substrate by metal-organic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积在7°-off(001)硅衬底上生长无裂纹的半极性(1-101)GaN
作者:
Hsien-Yu Lin
;
Hsueh-Hsing Liu
;
Chen-Zi Liao
;
Jen-Inn Chyi
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
Si;
semi-polar;
selective growth;
37.
Bowing of biexciton binding in Al_xGa_(1-x)N ternary alloys
机译:
Al_xGa_(1-x)N三元合金中双激子结合的弯曲
作者:
Yoichi Yamada
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
biexciton;
localization;
ternary alloys;
alloy disorder;
two-photon absorption;
algan;
38.
Inhomogeneous carrier distribution in InGaN multiple quantum wells and its influences on device performances
机译:
InGaN多量子阱中载流子的不均匀分布及其对器件性能的影响
作者:
Han-Youl Ryu
;
Jong-In Shim
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
light-emitting diode;
ingan;
efficiency droop;
quantum well;
carrier distribution;
39.
Role of In-segregation in anomalously large band gap bowings of (In,Al,Ga)N
机译:
偏析在(In,Al,Ga)N异常大带隙弯曲中的作用
作者:
I. Gorczyca
;
T. Suski
;
N. E. Christensen
;
A. Svane
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
Ⅲ-Ⅴ nitride alloys;
in clustering;
band gap bowing;
40.
Point defects in GaN and related group-Ill nitrides studied by means of positron annihilation
机译:
用正电子an灭研究GaN和相关的III族氮化物的点缺陷
作者:
Akira Uedono
;
Shoji Ishibashi
;
Shigefusa F. Chichibu
;
Katsuhiro Akimoto
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
positron annihilation;
point defect;
vacancy;
ion implantation;
rare-earth;
GaN;
41.
An efficiency droop model of the saturated radiative recombination rate and its verification by radiative and nonradiative carrier lifetime measurements in InGaN-based light emitting diodes
机译:
InGaN基发光二极管中饱和辐射复合速率的效率下降模型及其通过辐射和非辐射载流子寿命测量的验证
作者:
Jong-In Shim
;
Hyunsung Kim
;
Dong-Soo Shin
;
Han-Youl Ryu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
efficiency droop;
light emitting diode;
ingan quantum well;
in-rich quntum disk;
radiative recombination;
carrier lifetime;
42.
Unified Model for the GaN LED Efficiency Droop
机译:
GaN LED效率下降的统一模型
作者:
Joachim Piprek
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
gallium nitride;
light-emitting diode;
efficiency droop;
electron leakage;
auger recombination;
defect-related recombination;
modeling;
43.
InAlGaN optical emitters - laser diodes with non-epitaxial cladding layers and ultraviolet light-emitting diodes
机译:
InAlGaN光学发射器-具有非外延包覆层的激光二极管和紫外发光二极管
作者:
Christopher Chua
;
Zhihong Yang
;
Clifford Knollenberg
;
Mark Teepe
;
Bowen Cheng
;
Andre Strittmatter
;
David Bour
;
Noble M. Johnson
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
cladding;
UV LED;
nitride;
laser diode;
44.
Recent results on the physical origin of the degradation of GaN-based LEDs and lasers
机译:
关于GaN基LED和激光器退化的物理原因的最新结果
作者:
M. Meneghini
;
N. Trivellin
;
G. Meneghesso
;
K. Orita
;
S. Takigawa
;
T. Tanaka
;
D. Ueda
;
E. Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
laser diodes;
light-emitting diodes;
degradation;
multi-quantum-well;
ageing;
stress;
45.
Vertical composition variation in nominally uniform InGaN layers revealed by aberration-corrected STEM imaging
机译:
通过像差校正的STEM成像揭示名义上均匀的InGaN层中的垂直组成变化
作者:
A.B. Yankovich
;
A.V. Kvit
;
X. Li
;
F. Zhang
;
V. Avrutin
;
H.Y. Liu
;
N. Izyumskaya
;
UE.OEzguer
;
H. Morkoc
;
P.M. Voyles
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
aberration-corrected stem;
ingan;
quantum wells;
composition variation;
light emitting diode;
gan;
46.
Effect of Substrate Offcut on AlGaN/GaN HFET structures on Bulk GaN Substrates
机译:
衬底切口对块状GaN衬底上的AlGaN / GaN HFET结构的影响
作者:
J.H. Leach
;
N. Biswas
;
T. Paskova
;
E.A. Preble
;
K.R. Evans
;
M. Wu
;
X. Ni
;
X. Li
;
U Ozgiir
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
Bulk GaN;
GaN HFET;
GaN HEMT;
AlGaN;
offcut;
vicinal substrate;
misoriented substrate, homoepitaxy;
47.
Fermi level effect on strain of Si doped GaN
机译:
费米能级对Si掺杂GaN应变的影响
作者:
Jinqiao Xie
;
Seiji Mita
;
Ramon Collazo
;
Anthony Rice
;
James Tweedie
;
Zlatko Sitar
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
MOCVD;
Si doping;
Strain;
dislocation climb;
Fermi Level Effect;
Vacancy;
48.
The role of fluorine ions in GaN heterojunction transistors: applications and stability
机译:
氟离子在GaN异质结晶体管中的作用:应用和稳定性
作者:
Kevin J. Chen
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
fluorine ion implantation;
AlGaN/GaN heterostructures;
HEMT;
reliability;
49.
Photoluminescence of Mg-doped m-plane GaN grown by MOCVD on bulk GaN substrates
机译:
MOCVD在块状GaN衬底上生长的Mg掺杂的m面GaN的光致发光
作者:
Bo Monemar
;
Plamen Paskov
;
Galia Pozina
;
Carl Hemmingsson
;
Peder Bergman
;
David Lindgren
;
Lars Samuelson
;
Xianfeng Ni
;
Hadis Morkoc
;
Tanya Paskova
;
Zhaoxia Bi
;
Jonas Ohlsson
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
GaN;
m-plane;
MOCVD;
Mg-doping;
photoluminescence;
nanowires;
50.
Cathodoluminescence Characteristics of Linearly-Shaped Staggered InGaN Quantum Wells Light-Emitting Diodes
机译:
线性形状交错的InGaN量子阱发光二极管的阴极发光特性
作者:
Hongping Zhao
;
Jing Zhang
;
Guangyu Liu
;
Takahiro Toma
;
Jonathan D. Poplawsky
;
Volkmar Dierolf
;
Nelson Tansu
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
51.
Growth of Bulk GaN crystal by Na flux method
机译:
Na助熔剂法生长大块GaN晶体
作者:
M. Imade
;
N. Miyoshi
;
M. Yoshimura
;
Y. Kitaoka
;
T. Sasaki
;
Y. Mori
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
gan;
na flux method;
liquid phase epitaxy;
growth habit;
Ca-Li;
solution growth;
flux composition;
seeded growth;
52.
Optical properties of nonpolar (1~-100) and semipolar (1~-101) GaN grown by MOCVD on Si patterned substrates
机译:
通过MOCVD在Si图案化衬底上生长的非极性(1〜-100)和半极性(1〜-101)GaN的光学特性
作者:
N. Izyumskaya
;
SJ. Liu
;
S. Okur
;
M. Wu
;
V. Avrutin
;
UE. Oezguer
;
S. Metzner
;
F. Bertram
;
J.Christen
;
L. Zhou
;
D.J. Smith
;
H. Morkoc
会议名称:
《Gallium nitride materials and devices VI》
|
2011年
关键词:
nonpolar GaN;
semipolar GaN;
nitride;
MOCVD;
Si;
time-resolved photoluminescence;
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