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郝跃; 薛军帅; 张进成;
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室;
西安710071;
化合物半导体; 高电子迁移率晶体管; InAlN; GaN异质结; 晶格匹配无应变; 脉冲式金属; 有机物化学气相淀积;
机译:使用溅射的AlON薄膜的III族氮化物金属绝缘体半导体异质结场效应晶体管
机译:高效光电器件中的金属/半导体和透明导体/半导体异质结:研究进展和特点
机译:InAlN / GaN和InAlN / AlGaN / GaN异质结FET的电学特性对AlN层间厚度的依赖性
机译:(请邀请)简要概述和未来关于III族 - 氮化物半导体研究进展的观察
机译:硅衬底上III族氮化物功率异质结场效应晶体管的工程模型。
机译:一种用于异质集成的III型氮化物半导体剥离的新方法
机译:基于立方III族氮化物的金属-绝缘体-半导体结构和AlGaN / GaN异质结
机译:Znse,Gaas和Ge半导体半导体异质结的研究进展报告,截止日期为1968年9月30日
机译:离子注入III族氮化物半导体基体,III族氮化物层结基体,III族氮化物半导体装置的制造方法
机译:具有氮化硼硼三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件
机译:III族氮化物异质结半导体器件的制造方法
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