机译:SF_6 / O_2等离子体对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的氮化硅钝化的影响
机译:SiN_x钝化之前基于氮化物的等离子体在硅衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的影响
机译:氮化硅钝化对algan / gan高电子迁移率晶体管中隔离阻挡电压的影响
机译:具有高密度氮化硅钝化的AlGaN / GaN-on-Si高电子迁移率晶体管(HEMT)的可靠性得到改善
机译:在8英寸硅(111)基板上生长的凹陷 - 栅极AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的稀释KOH钝化性能改进
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:硫酸和过氧化氢表面钝化对alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响