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机译:具有高密度氮化硅钝化的AlGaN / GaN-on-Si高电子迁移率晶体管(HEMT)的可靠性得到改善
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore;
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore|Nanyang Technol Univ, Sch Mat Sci & Engn, Singapore 639798, Singapore;
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore|Nanyang Technol Univ, Sch Mat Sci & Engn, Singapore 639798, Singapore;
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore;
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore|Nanyang Technol Univ, Sch Mat Sci & Engn, Singapore 639798, Singapore;
Singapore MIT Alliance Res & Technol, Low Energy Elect Syst, Singapore 138602, Singapore|MIT, Dept Mat Sci & Engn, Cambridge, MA 02139 USA;
机译:氮化硅钝化对algan / gan高电子迁移率晶体管中隔离阻挡电压的影响
机译:SiN_x钝化之前基于氮化物的等离子体在硅衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的影响
机译:SF_6 / O_2等离子体对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的氮化硅钝化的影响
机译:AlGaN / GaN高电子 - 移动晶体管(HEMT)采用肖特基接触的固定区域和二氧化硅钝化
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的可靠性