机译:偏置温度不稳定性对具有高k / SiO_2栅堆叠的互补金属氧化物半导体场效应晶体管的应变效应和沟道长度依赖性
机译:具有HfSiON / SiO_2栅堆叠的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的负负偏压温度不稳定性行为
机译:活化退火温度对高k /金属栅叠层p型金属氧化物半导体场效应晶体管的性能,负偏置温度不稳定性和介电击穿寿命的影响
机译:具有原子层沉积的氮化硅/ SiO_2堆叠栅电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置温度不稳定性
机译:高k栅极电介质锗对P沟道场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:用于金属氧化物半导体电容器和场效应晶体管的氢化金刚石上高k氧化物概述
机译:大偏压对具有超薄栅极电介质P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性的影响
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性