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机译:使用隧道结级联有源区提高InGaN / GaN发光二极管效率的起源
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机译:使用隧道结级联有源区提高InGaN / GaN发光二极管效率的起源
机译:具有隧道结级联有源区的基于GaN的多量子阱发光二极管
机译:InGaN / GaN单量子阱发光二极管的光输出效率取决于分隔有源层和p层区域的势垒层的特性
机译:通过优化有源区来改善GaN基发光二极管的效率下降
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:IngaN / GaN多量子孔绿发光二极管内部量子效率改进