铟(In)掺杂CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体生长及性能表征

摘要

通过垂直布里奇曼法在富Te环境下生长铟(In)掺杂的CdTe与CdTe0.9Se0.1晶体,CdTe晶体的电阻率达到了108Ω·cm,而CdTe0.9Se0.1的为107Ω·cm.分析CdTe0.9Se0.1晶体红外透过率为64％很接近理论的65％,而CdTe晶体仅为50％.在光致发光谱(PL)中,对比发现CdTe晶体有清晰的FE峰,以及较窄的半峰宽,说明CdTe晶体质量较高,但是在CdTe0.9Se0.1晶体中DAP峰较高,说明Cd空位较多,可能是由于较大的生长速率导致的.又通过紫外可见近红外光谱得到CdTe0.9Se0.1晶体的禁带宽度为1.401,而CdTe为1.450 eV,可能是由于原子轨道杂化导致价带偏移.