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王溪; 周松敏; 孙常鸿; 魏彦峰; 沈灏; 林春;
中国科学院大学;
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室;
Au掺杂HgCdTe; 电子束蒸发CdTe; 退火; 载流子浓度; Au分布;
机译:金属 - 绝缘体 - 半导体结构的电容 - 电压特性退火对CDTE / HGCDTE钝化界面电神法性能的影响
机译:在不同高温退火条件下掺杂剂和组分在砷植入的CDTE / HGCDTE结构中的扩散
机译:MBE对HgCdTe / CdTe / Si(211)热退火的影响
机译:在Cdte / Si衬底上生长的Hgcdte的退火和器件表征。
机译:用于太阳能水分解的TiO2纳米管:真空退火和Zr掺杂增强水氧化动力学
机译:退火对au-si和au-Gaas界面的费米级钉扎和电流传输的影响
机译:用脉冲激光退火改善金属/ CdTe界面的电子和化学结构
机译:在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译:使用CdTe覆盖层的本征p型HgCdTe
机译:使用CdTe覆盖层生产本征p型HgCdTe的方法
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