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赵佶;
氮化镓; 宏基站; 产品组合; 用户设计; 化合物半导体; 代工厂; 功率附加效率; 线性度; 硅衬底; 输出功率;
机译:氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和明天的氮化镓氮化镓,碳化硅SiC和未来的车辆全文
机译:硅基质上带有中等碳化硅氮化物的硅基底上的铝和镓氮化物
机译:混合β-镓氧化镓氮化镓氮化镓纳米颗粒的合成及氮化镓粉末
机译:碳化硅基材氮化镓和氮化铝膜的Pendeo - 外延和异质结构
机译:使用常规和五极外延生长工艺在氢(6)-碳化硅(0001)和硅(111)衬底上生长氮化镓和氮化铝镓薄膜。
机译:复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子
机译:基于铝和氮化镓在硅碳化硅衬底上生长铝和氮化镓氮化镓的复合材料的介电和热电性能
机译:镓弧蒸发系统氮化镓气相氮化物生长氮化镓的研究。
机译:发射辐射的半导体元件包括具有多个氮化镓基层的碳化硅基衬底,该多个氮化镓基层包含布置在n导电层和受应力的p导电层之间的有源区。
机译:在用于LED的硅基板上将氮化铝镓/氮化镓设备集成到氮化铝镓LED的AC LED / LED上
机译:氮化镓LED与氮化铝镓/氮化镓设备在AC LED的硅基底上的集成
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