硅衬底

摘要： 通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×10^(19)cm^(-3)时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集。

摘要： 采用8%(质量分数,下同)有机碱A和3%有机碱B作为抛光液的复配p H调节剂对硅衬底进行化学机械抛光。研究了2种有机碱单独使用或复配使用时对抛光速率和抛光表面质量的影响。结果表明,当2种有机碱复配时,硅衬底的平均抛光速率达到1.04μm/min,同时可获得低表面粗糙度(Ra=0.621 nm)和无划痕的抛光表面。该抛光液在循环使用过程中表现出良好的稳定性,循环使用10次后抛光表面质量基本无变化,但抛光速率略降,主要与抛光液pH降低、黏度增大以及硅溶胶颗粒团聚有关。

摘要： 本文在介绍驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术基础上,介绍英飞凌的绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展,走向了绝缘体上硅(silicon-on-insulator,简称SOI),SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅,相对于传统的导电型的硅衬底,它有三层结构,第一层是厚的硅衬底层,用于提供机械支撑,第二层是薄的二氧化硅层,二氧化硅是一种绝缘体,从而形成一层绝缘结构,第三层是薄的单晶硅顶层,在这一层进行电路的刻蚀,形成驱动IC的工作层。

摘要： 经过二十多年的努力,中国已成为全球最大的LED制造基地,为全球万亿元市场贡献了70%-80%的产品。同时,中国LED行业成为中国科技水平靠近世界最前沿、甚至领跑的行业。近年来,晶能光电围绕硅衬底GaN技术的优势领域,先后孵化晶能半导体、晶亮光电、绿野汽车照明、中节能晶和科技等行业龙头企业。

摘要： 在硅衬底上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长氮化镓外延片,经过芯片工艺加工成尺寸在4 mil×4 mil至7 mil×7 mil的蓝绿Mini LED芯片,再匹配普通或反极性红光LED芯片,可以制作全垂直结构LED芯片的超高清全彩显示屏.主要应用在户内外显示、高清娱乐、远程视频会议等场景应用.相较于当前的蓝宝石衬底的蓝绿LED芯片有节省器件空间、生产设备效率高、可靠性好、显示效果优良,可以制作间距在P1.0及以下的超高清显示屏等优点.相同尺寸的垂直结构的mini蓝绿芯片较普通蓝宝石的发光面积要大20％ ～40％,因蓝宝石的N电极要占用芯片发光区面积,而垂直芯片则没有此项面积损失.

摘要： 本文介绍了GaN基材料和LED的基本特性,从其发展进程中不难看出对GaN基LED的发展前景十分广阔。GaN基LED是第三代半导体材料,正是现在全球各国研究者感兴趣的方向之一,而且其优点也非常明显,节能性好、发光率高、体积小等特点让它一出世就受到了大家的热捧。相信在各国研究者的不断研发下,LED的发展会越来越好。

摘要： With the continuous development and breakthrough of silicon-based gallium nitride epitaxial technology, the localization of its special silicon substrate is becoming more and more important. Analyze the intensive edge slip line and split problem after GaN epitaxial on localization substrate. Put forward the wafer edge control and mechanical strength control parameters and technical indicators. Point out the direction of high quality silicon substrate development for power component level of GaN epitaxy.%随着硅基氮化镓外延技术的不断突破,其专用的硅衬底材料的国产化问题日益凸显.分析了国产片外延后边缘滑移线密集和裂片问题,提出了硅片边缘控制和机械强度控制参数和技术指标,为满足功率器件级氮化镓外延需求的高质量硅衬底研制指明了一定的方向.

摘要： GaN基蓝紫光激光器在国防建设、生物、环境、照明、显示、打印和医疗等领域具有广阔的应用前景和巨大的市场需求.世界上第一支GaN基激光器是2014年诺贝尔物理学奖获得者中村修二在20年前发明,他利用蓝宝石作为衬底生长激光器结构.但是,通过MOCVD生长的GaN薄膜在蓝宝石衬底上会有30度角度的旋转,再加上蓝宝石材料比较坚硬,则会导致激光器直接解理十分困难.通常情况下,通过解理方式得到的蓝宝石衬底的激光器腔面非常粗糙,从而增加了腔面光损耗,进而增加了阈值电流.展示了通过MOCVD生长的硅衬底室温连续激射的蓝紫光GaN基激光器。如图2(a)所示，生长激光器结构前，先生长了AlN成核层以及组分渐变的AlGaN缓冲层。之后的激光器结构是由n型GaN，n型AIGaN下限制层、n型GaN下波导层、3对InO.1Ga0.9N/In0.02Ga0.98N多量子阱结构、GaN上波导、p型AIGaN/GaN上限制层以及GaN接触层组成，整个晶圆片像镜面一样，只有边缘处有较短裂纹。GaN(002)和GaN(102)半宽分别为272 arcsec和298 arcsec。

摘要： 相比于传统的蓝宝石衬底,硅衬底LED不仅在生长时,衬底成本远低于蓝宝石材料,而且可以采用化学腐蚀的方法来剥离衬底,在效率和良率上,都远高于必须采用激光剥离方法的蓝宝石衬底,从而得到高质量、低成本的垂直结构芯片;单面出光的垂直结构芯片结合白光芯片工艺,一方面减小发光面积(Lighting Emitting Surface),另一方面达到更高的性能,包括光通量的提高,芯片表面颜色均匀性(Color over Surface)的提高和轴向光比例的增加,为高品质照明提供了无限的可能.就小角度射灯、汽车照明、手机闪光灯和超薄平板照明等应用实例来阐述基于硅衬底的垂直结构LED在高品质照明应用中的优势,利用硅衬底LED芯片,可以实现照明品质更佳、系统成本更低、设计方案更灵活、更具创新性的LED照明解决方案.

摘要： 基于有机-无机杂化钙钛矿材料制备的太阳电池效率自2009年从3.8％增长到22.1％,因其较高的光吸收系数,较低的成本及易于制备等优势获得了广泛关注.与此同时,关于全无机钙钛矿的研究与应用方兴未艾.本文中在利用标准光刻技术制备叉指电极的基础上,用溶液法沉积全无机钙钛矿量子点/介孔二氧化钛复合物制得金属/半导体/金属(MSM)结构的光电探测器.相比较于简单的全无机钙钛矿量子点的MSM光电探测器,介孔二氧化钛的引入显著地增强了光电探测器的性能.复合物的探测器具有高达104的开关比,比简单的钙钛矿探测器高了将近3个数量级,响应度也从～80mA W-1增长到～3500mAW-1.

摘要： 随着微电子技术的快速发展,集成电路的集成度不断提高,器件尺寸不断减小.传统的SiO2栅氧化层介质在尺寸减小的情况下,出现了漏电流逐渐增大和可靠性下降等严重问题.因此,人们深入研究了高介电常数材料,使得器件在保持或增大栅极电容的同时能够减小由于隧穿引起的漏电流.本文采用远程等离子体辅助原子层沉积(RP-ALD)的方法在硅衬底上制备了15nm左右的Hf02薄膜，并在不同温度的氮气中退火10分钟。原子力显微镜(AFM)、掠射入X射线衍射分析(GIXRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪(SE)测试分析了退火前后样品的表面形貌、晶体结构、化学组分与光学性质。实验结果表明，Hf02薄膜特性与退火温度有着密切的关系。随着退火温度的增加，样品表面的均方根粗糙度逐渐增加，样品由非晶结构逐渐转向多晶结构，Hf02薄膜的折射率随着退火温度的增加，先增大后减小，在600°C退火时具有最大的折射率。

摘要： 介绍了N型双面电池简介，背面复合分析改善技术研究，N型双面电池简介N型双面电池，N型硅衬底,无光致衰减，双面发电设计,实现双面发电的功能，掺磷背电场结构,电池无翘曲,能加工更薄的硅衬底。

摘要： 本文介绍了一种基于硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的泄漏电流的击穿机理.通过基于物理模型的二维计算机仿真,对该击穿机理中的氮化铝/硅界面形成反型电子沟道和缓冲层中陷阱效应进行了分析.仿真结果显示由于在氮化铝/硅界面形成的电子沟道诱发的泄漏电流,栅漏间距LGD=5μm的硅衬底AlGaN/GaN HEMT的耐压仅为50V.该击穿机理削弱器件的反向耐压能力,从而极大的制约了HEMT器件的应用范围.通过对该击穿模型的优化,在该器件的缓冲层中设置背部高势垒区,从而有效的抑制泄漏电流.仿真结果显示优化后的器件结构能够获得672V的反向耐压,相比于未优化的器件结构有了显著的增强.

摘要： 在空心纳米柱图形化的绝缘体上硅(100)衬底上生长定位Ge量子点.采用电子束曝光(Vistec EBPG5000Plus)制作空心纳米柱图形,然后通过ICP刻蚀将图形转移至衬底上.经原子力显微镜(AFM)测量显示,纳米柱的高度为70nm,直径为200nm,中心孔的直径为70nm,深度为20nm,如图1(a)-(b)所示.图形衬底经过优化过的RCA方法清洗，并在稀释的HF溶液中浸泡完成H+钝化，之后将衬底装入分子束外延(MBE)腔体中生长。生长过程如下：先将衬底加热到645°C并保持15分钟脱附用于钝化的H+，然后降温到450°C外延生长15nm Si缓冲层，在450°C到580°C的均匀变温过程中沉积6.9ML Ge原子。生长完成后，衬底立即降温到室温。经过脱气和沉积15nm硅原子后，纳米柱的直径、中心孔的直径和深度并没有发生很大变化，但纳米柱的高度下降了约30nm，这是在脱气过程中纳米柱上的硅原子向平衬底区域迁移的结果。沉积6.9ML Ge原子后，生长出来的锗量子点与硅纳米柱连成一体，纳米柱的直径明显扩大，这是锗原子富集在硅纳米柱底部的结果。从图(d)和(f)可以推断得出锗量子点的高度为18nm。因为纳米柱的直径发生了明显变化，所以不能直接从图(d)和(f)得出量子点的直径，从扫描电子显微镜的结果图1(g)可以得到量子点的直径约为70nm。

摘要： 在空心纳米柱图形化的绝缘体上硅(100)衬底上生长定位Ge量子点.采用电子束曝光(Vistec EBPG5000Plus)制作空心纳米柱图形,然后通过ICP刻蚀将图形转移至衬底上.经原子力显微镜(AFM)测量显示,纳米柱的高度为70nm,直径为200nm,中心孔的直径为70nm,深度为20nm,如图1(a)-(b)所示.图形衬底经过优化过的RCA方法清洗，并在稀释的HF溶液中浸泡完成H+钝化，之后将衬底装入分子束外延(MBE)腔体中生长。生长过程如下：先将衬底加热到645°C并保持15分钟脱附用于钝化的H+，然后降温到450°C外延生长15nm Si缓冲层，在450°C到580°C的均匀变温过程中沉积6.9ML Ge原子。生长完成后，衬底立即降温到室温。经过脱气和沉积15nm硅原子后，纳米柱的直径、中心孔的直径和深度并没有发生很大变化，但纳米柱的高度下降了约30nm，这是在脱气过程中纳米柱上的硅原子向平衬底区域迁移的结果。沉积6.9ML Ge原子后，生长出来的锗量子点与硅纳米柱连成一体，纳米柱的直径明显扩大，这是锗原子富集在硅纳米柱底部的结果。从图(d)和(f)可以推断得出锗量子点的高度为18nm。因为纳米柱的直径发生了明显变化，所以不能直接从图(d)和(f)得出量子点的直径，从扫描电子显微镜的结果图1(g)可以得到量子点的直径约为70nm。

摘要： 在空心纳米柱图形化的绝缘体上硅(100)衬底上生长定位Ge量子点.采用电子束曝光(Vistec EBPG5000Plus)制作空心纳米柱图形,然后通过ICP刻蚀将图形转移至衬底上.经原子力显微镜(AFM)测量显示,纳米柱的高度为70nm,直径为200nm,中心孔的直径为70nm,深度为20nm,如图1(a)-(b)所示.图形衬底经过优化过的RCA方法清洗，并在稀释的HF溶液中浸泡完成H+钝化，之后将衬底装入分子束外延(MBE)腔体中生长。生长过程如下：先将衬底加热到645°C并保持15分钟脱附用于钝化的H+，然后降温到450°C外延生长15nm Si缓冲层，在450°C到580°C的均匀变温过程中沉积6.9ML Ge原子。生长完成后，衬底立即降温到室温。经过脱气和沉积15nm硅原子后，纳米柱的直径、中心孔的直径和深度并没有发生很大变化，但纳米柱的高度下降了约30nm，这是在脱气过程中纳米柱上的硅原子向平衬底区域迁移的结果。沉积6.9ML Ge原子后，生长出来的锗量子点与硅纳米柱连成一体，纳米柱的直径明显扩大，这是锗原子富集在硅纳米柱底部的结果。从图(d)和(f)可以推断得出锗量子点的高度为18nm。因为纳米柱的直径发生了明显变化，所以不能直接从图(d)和(f)得出量子点的直径，从扫描电子显微镜的结果图1(g)可以得到量子点的直径约为70nm。

摘要： 在空心纳米柱图形化的绝缘体上硅(100)衬底上生长定位Ge量子点.采用电子束曝光(Vistec EBPG5000Plus)制作空心纳米柱图形,然后通过ICP刻蚀将图形转移至衬底上.经原子力显微镜(AFM)测量显示,纳米柱的高度为70nm,直径为200nm,中心孔的直径为70nm,深度为20nm,如图1(a)-(b)所示.图形衬底经过优化过的RCA方法清洗，并在稀释的HF溶液中浸泡完成H+钝化，之后将衬底装入分子束外延(MBE)腔体中生长。生长过程如下：先将衬底加热到645°C并保持15分钟脱附用于钝化的H+，然后降温到450°C外延生长15nm Si缓冲层，在450°C到580°C的均匀变温过程中沉积6.9ML Ge原子。生长完成后，衬底立即降温到室温。经过脱气和沉积15nm硅原子后，纳米柱的直径、中心孔的直径和深度并没有发生很大变化，但纳米柱的高度下降了约30nm，这是在脱气过程中纳米柱上的硅原子向平衬底区域迁移的结果。沉积6.9ML Ge原子后，生长出来的锗量子点与硅纳米柱连成一体，纳米柱的直径明显扩大，这是锗原子富集在硅纳米柱底部的结果。从图(d)和(f)可以推断得出锗量子点的高度为18nm。因为纳米柱的直径发生了明显变化，所以不能直接从图(d)和(f)得出量子点的直径，从扫描电子显微镜的结果图1(g)可以得到量子点的直径约为70nm。

摘要： 本发明提供一种向半导体衬底的硅中蚀刻沟道的方法，其包括在半导体衬底的硅上方形成掩模，其中所述掩模包含穿过所述掩模而形成的沟道。使用所述掩模进行等离子体蚀刻以向所述半导体衬底的所述硅中形成沟道。在一个实施例中，所述等离子体蚀刻包括使用包括SF

摘要： 本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。

摘要： 本发明公开了监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法，其中监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法包括：测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率，根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。本发明利用多晶硅的透光率这一比较稳定的特性作为热退火活化效果好坏的评价标准，通过将透光率与预设值进行比较得到热退火的活化效果，这样可以保证监测热退火活化效果过程的稳定性和可靠性，使得工艺人员能够及时有效地控制在线工艺，同时缩短监测过程的周期，而且测量透光率比进行电学特性测试还能大大降低监测成本。

摘要： 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。

摘要： 本发明公开一种硅衬底高密度LED光源模组及基于共晶焊的硅衬底高密度LED光源模组制备方法。本发明创造性地将LED芯片直接封装在散热基体上，相比起现有技术，本发明的LED芯片其工作时产生的热量可以直接通过散热基体传导，散热效率明显高于现有技术。

摘要： 本发明公开了监测多晶硅衬底热退火活化效果及制造多晶硅衬底的方法，其中监测多晶硅衬底热退火活化效果的方法包括：测量经过离子注入工艺和热退火工艺的多晶硅衬底的透光率作为第一透光率，根据所述第一透光率判定热退火的活化效果。本发明利用多晶硅的透光率这一比较稳定的特性作为热退火活化效果好坏的评价标准，通过将透光率与预设值进行比较得到热退火的活化效果，这样可以保证监测热退火活化效果过程的稳定性和可靠性，使得工艺人员能够及时有效地控制在线工艺，同时缩短监测过程的周期，而且测量透光率比进行电学特性测试还能大大降低监测成本。

摘要： 本公开涉及适宜使用RF组件的硅衬底，此类硅衬底形成的RF组件。提供硅衬底可通过使用由Czochralski处理形成的硅层并具有沉积在硅层上的载流子寿命时间杀灭层而更便宜地便于形成RF组件。

摘要： 本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥离方法可以将成膜过程中由于热膨胀系数不同所产生的残余应力在整个硅衬底平面范围内均匀地释放，减少因应力释放不均匀造成半导体器件的开裂，有效而简单地将硅衬底与半导体器件进行剥离，提高了半导体器件的合格率。

摘要： 本发明提出了一种改善硅衬底的方法，该方法包括如下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底上形成硅酸盐，其中，所述硅酸盐中的金属离子在所述硅衬底中的预定深度具有最大浓度，所述金属离子的浓度随着与所述预定深度的距离增大而逐渐减小；刻蚀所述硅酸盐并停止在所述预定深度所在平面或接近所述预定深度所在平面。本发明还提供了由上述方法形成的硅衬底。本发明的实施例适用于半导体器件制造中的衬底工艺。

摘要： 一种锗硅衬底的生长方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；在单晶硅支撑衬底表面形成籽晶层，所述籽晶层的材料为单晶锗硅；在籽晶层的表面形成插入层，所述插入层的材料为锗组分大于籽晶层中锗组分的单晶锗硅；在插入层的表面形成锗硅晶体层。