НИТРИДЫ АЛЮМИНИЯ И ГАЛЛИЯ НА КРЕМНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ НАНОСЛОЕМ КАРБИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ПРИБОРОВ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ДИАПАЗОНА

摘要

Излагается идея нового технологического метода выращивания низкодефектных гетероструктур нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке для ультрафиолетового диапазона излучения. Впервые экспериментально доказано, что создание промежуточного нанослоя карбида кремния позволяет получить методом газофазной эпитаксии высокосовершенные слои нитридов алюминия и галлия на кремниевой подложке без трещин. При этом основные характеристики кристаллического совершенства этих слоев, а именно полуширина рентгеновских кривых качания и полуширина спектров фотолюминесценции, с учетом отсутствия трещин, значительно превышают подобные значения, полученные другими авторами. Показано, что в спектрах фотолюминесценции нитрида галлия при температуре 77 К проявляется экситонная полоса с энергией максимума излучения 3,45 эВ и полушириной 63 мэВ