Synthesis of GaN films on porous silicon substrates

摘要

一个新奇、简单的方法被采用综合在多孔的硅(PS ) 上轧了电影底层。轧了电影通过在与磁控管劈啪作响在底层上扔的 NH_3 和 Ga_2O_3 电影之间的反应被获得。后来轧了并且 PS 都是为光的好材料，获得一些新性质从被期望在 PS 上轧了。样品与 X 光检查衍射(XRD ) 被分析识别晶体结构。Fourier 播送红外线(FTIR ) 光谱被用来分析样品的化学状态。电影是装电子显微镜学(SEM ) 的观察 withs 并且被发现由许多大水晶谷物组成。光致发光(PL ) 光谱被用来照亮光性质轧了电影。