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申屠伟进; 胡飞; 韩彦军; 薛松; 罗毅; 钱可元;
清华大学电子工程系;
清华大学深圳研究生院半导体照明实验室;
提取效率; 发光二极管; GaN; 蒙特卡罗方法; 光吸收系数; 模拟分析; 环氧树脂; 芯片尺寸; LEDs; 蓝宝石; 折射率; 反射率; 限制; p型; 封装;
机译:具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的提高的光提取效率
机译:非晶光子晶体对GaN基薄膜倒装芯片发光二极管光提取效率增强的影响分析
机译:在p-GaN和Ag反射器的界面处嵌入光子晶体,以改善GaN基倒装芯片发光二极管的光提取
机译:通过对蓝宝石的两面进行构图来提高GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率
机译:具有全向反射器的紫外光谱发光二极管具有高提取效率
机译:生长用于制造具有增强的光提取特性的发光二极管的GaN层的方法,使用该GaN层的发光二极管的制造方法及其发光二极管装置
机译:GaN系列发光二极管,光提取效率高
机译:GaN发光二极管以及通过蓝宝石整形增加GaN发光二极管上的光提取的方法
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