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张连俊; 刘刚; 张萌;
山东理工大学计算机科学与技术学院;
伊利诺伊大学电子与计算机工程系;
发光二极管; 光提取效率; 光子晶体; 外延侧生长;
机译:通过使用二氧化硅胶体掩模的p-GaN表面的随机图案提高GaN基发光二极管的光提取效率
机译:通过p-GaN表面的纳米级粗糙化处理提高了GaN基发光二极管的光提取效率
机译:提高GaN基发光二极管的光提取效率
机译:垂直几何GaN基发光二极管:提高电流注入和光提取效率
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:提高具有抗反射界面层的GaN基倒装芯片发光二极管的光提取效率
机译:图案化蓝宝石衬底上的氮化镓发光体,可提高缺陷率和光提取效率
机译:GaN基发光器件,光提取效率大大提高
机译:具有提高的光提取效率的GaN基LED及其制造方法
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