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尚也淳; 张义门; 张玉明;
西安电子科技大学微电子所;
碳化硅; 6H-SiC; 反型层迁移率; 库仑散射;
机译:注入区域上4H和6H-SiC MOSFET的反型层中的电子传输模型
机译:Si(100),(110)和(111)-表面上n型金属氧化物半导体场效应晶体管的库仑散射限制的反层迁移率的实验评估:电导质量与法线相关性的影响弥撒
机译:N〜+多晶硅/ HfAlO_x / SiO_2 N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中HfAlO_x限制的反型层迁移率的非库仑散射成分的弱温度依赖性
机译:库仑散射体对SiO_2 / SiC界面对反型层迁移率的影响
机译:对高级碳化硅功率MOSFET的反型层中电子传输的研究。
机译:石墨层对MgO / 6H-SiC(0001)界面电子性质的影响
机译:在低能量下的弹性反罗本和质子电子散射中的偏振传递中的库仑效应
机译:氧化物极化模式生成界面声子对反型层电子的散射
机译:用于光散射的树脂组合物,由用于光散射的树脂组合物制成的光散射层,以及包括光散射层的有机电子显示设备或有机电子照明设备
机译:具有MIS结构的反型层太阳能电池-由透明的无机覆盖层提供的反型层电荷
机译:反散射校正装置,反散射校正方法和反散射校正程序
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