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王元樟; 李金钗; 李书平; 陈航洋; 刘达艺; 康俊勇;
厦门理工学院数理系,福建,厦门,361024;
福建省半导体材料及应用重点实验室,福建,厦门,361005;
GaN基半导体; 异质结构; 高分辨率X射线衍射; 掠入射X射线反射谱; 原子力显微镜;
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:使用超薄AlN / GaN超晶格中间层通过MOCVD在4英寸Si(110)衬底上生长的高质量GaN膜和AlGaN / GaN HEMT
机译:MOCVD生长的Al_xGa_(1-x)N / GaN超晶格结构的X射线反射率和原子力显微镜研究
机译:MOCVD使用中间高温AlGaN / GaN超晶格而获得的高质量AlGaN / GaN HFET结构
机译:超晶格结构中表面和界面激发的研究
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过mOCVD生长的Inassb / InGaas应变层超晶格中的界面,用于红外发射器
机译:硅团簇超晶格和硅团簇超晶格的生产方法,硅团簇的生产方法,硅团簇超晶格结构和硅团簇超晶格结构的生产方法,半导体器件和量子器件
机译:硅团簇超晶格,硅团簇超晶格的制备方法,硅团簇的制备方法,硅团簇超晶格结构,硅团簇超晶格结构的制备方法,半导体器件和量子器件
机译:超晶格结构,包括超晶格结构的半导体器件和半导体发光器件,以及制造该超晶格结构的方法
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