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赵尚丽; 杨仕娥; 张丽伟; 陈永生; 陈庆东; 卢景霄;
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052;
新乡学院物理系,新乡,453000;
RF-PECVD; p型微晶硅薄膜; 暗电导率; 晶化率;
机译:P型氧化亚铜薄膜,具有高功率脉冲磁控溅射沉积的高电导率
机译:高电导率的CuAlO_2纳米晶透明薄膜的制备
机译:超声喷雾热解法制备ZnO薄膜中晶界相关的p型电导率
机译:离子束诱导的纳米晶化改善了高掺杂Al SiC中的p型电导率
机译:高电导率铜合金薄膜的电稳定性和微观结构演变。
机译:P和B掺杂在具有高电导率的纳米晶硅薄膜中的电子传输行为的变化
机译:在n-i-p型微晶硅太阳能电池中通过热线化学气相沉积法生长的高透明微晶碳化硅作为窗口层
机译:分子氮中脉冲激光烧蚀制备高掺杂p型ZnTe薄膜
机译:制造具有高结晶化和高电导率的p型氮化物和氮化物半导体装置的方法
机译:具有高透射率,迁移率和电导率的p型半导体组成,使用该p型半导体组成的太阳能电池及其制造方法
机译:具有高电导率和优异的热稳定性,透明度和电导率的导电聚合物薄膜的制备方法
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