高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

钱佑华; 冷静民; 林成鲁; 邢昆山

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高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

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用Raman光谱测量了高剂量B^+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论.

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来源
《半导体学报》 |1989年第6期|449-452|共4页
作者
钱佑华; 冷静民; 林成鲁; 邢昆山;
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作者单位

复旦大学物理系;

中科院上海冶金所离子束开放实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
SOM; 高剂量; 离子注入; 硅; Raman光谱;

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