GaN基量子阱结构的界面光学声子及其电声相互作用性质的研究

摘要

GaN基量子阱结构在光电子领域具有较为重要的应用前景,理解其物理性质是加快应用的关键之一.研究了GaN基量子阱结构的光学声子特性及其电声相互性质,给出了GaN基量子阱结构中光学声子及其电声相互作用的基本理论,分析了影响界面光学声子的频率和电声耦合强度的相关因素,并对纤锌矿Al0.8Ga0.2N/GaN/Al0.8Ga0.2N,GaN/In0.8Ga0.2N/GaN对称单量子阱的界面光学声子及其电声相互作用的电声耦合强度进行了数值计算.结果表明,界面光学声子在长波区域色散较为明显,电声耦合强度在小波矢区域内最强.