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唐伟瀚; 李虞锋; 苏喜林; 云峰;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
发光二极管; 氮化镓半导体; 底层量子阱; 电致发光; 大型V形缺陷; 空穴注入;
机译:GaN基LED结构的钯基晶圆上电致发光研究
机译:增强了在纳米级图案化蓝宝石衬底上生长的GaN基LED结构的光致发光和电致发光
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:基于GaN的LED结构的钯基晶圆电致发光研究
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:基于O-2退火的Mg掺杂GaN的InGaN / GaN多量子阱的增强电致发光强度
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:具有增强结构的缓冲层和具有量子阱结构的有源层的GaN半导体发光器件,用于减少晶体缺陷并获得高亮度,并且其制造方法
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
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