一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长结构及方法

摘要

本发明提出一种InGaN/GaN量子阱界面中断生长外延结构，所述外延结构依次包括蓝宝石衬底、低温GaN成核层、非故意掺杂高温GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层，所述外延结构的特征在于，所述多量子阱层中InGaN层依次包括InN层和InGaN层，所述InN层是在InGaN量子阱初期周期性地通入/停止TMIn进入反应室生长而成。所述外延结构有效提高InGaN量子阱初期In组分，使得InGaN量子阱中In组分更加均匀，界面更加陡峭，从而提高LED波长均匀性和发光效率。